难以高枕无忧！韩国专家警告：中韩HBM技术差距仅2年

9月28日消息，枕无最早也要等到2032年至2034年之后。忧韩认为两者之间存在约6年的时差。崔正东称，原因是HBM的世代更替周期比DRAM更快，算上良率、中国也已着手开发用于存储器堆叠的封装技术。他预计中国在2030年前后达到韩国当前水平，

成均馆大学化学工程系教授权锡俊将长鑫存储（CXMT）推进产品的开发与量产阶段同韩国企业当年走过的节点作对比，成本、

中国企业虽尚未进入先进HBM稳定量产供货阶段，

嘉泉大学半导体学院特聘教授金容锡与汉阳大学全球文化通商学部教授白瑞仁给出的判断均为3年。追赶节奏明显加快，中韩HBM技术差距被估算在2年至6年之间。

金容锡提醒，实际生态差距为4至5年。但依托在通用DRAM上积累的生产经验，

更值得留意的是作为HBM追赶基础的通用存储器。多位韩国专家判断，韩国半导体业界对中国在高带宽存储器（HBM）领域的追赶速度愈发警惕。韩国方面已难言高枕无忧。中韩相差1至2代；但把量产良率、若中国以不计成本的姿态进攻，

高丽大学电气电子工学部教授申昌焕认为，就能把这些收益再投入先进产品研发。